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HAT2019R

更新时间: 2024-02-26 04:34:49
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 52K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

HAT2019R 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.34最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:0.037 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

HAT2019R 数据手册

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HAT2019R  
Silicon N Channel Power MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-481 D (Z)  
5th. Edition  
February 1999  
Features  
Low on-resistance  
Capable of 2.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Outline  
SOP–8  
5
6
7
8
4
3
2
5 6  
7
8
1
D D  
D
D
4
G
1, 2, 3  
4
Source  
Gate  
5, 6, 7, 8 Drain  
S
1
S
2
S
3

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