HAT2016R-EL-E

更新时间： 2024-01-12 00:15:29

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	96K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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HAT2016R-EL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

HAT2016R

Silicon N Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1156-1000

(Previous: ADE-208-438H)

Rev.10.00

Sep 07, 2005

Features

•

Low on-resistance

Capable of 4 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PRSP0008DD-D

(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )

7 8

D D

5 6

D D

1, 3

2, 4

5, 6, 7, 8

Source

Gate

Drain

S 1

S 3

MOS1

MOS2

Rev.10.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HAT2019R	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2019REL	RENESAS	8A, 30V, 0.037ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
HAT2020R	HITACHI	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2020R	RENESAS	Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
HAT2020REL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.05ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi	获取价格
HAT2020REL	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.05ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi	获取价格