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G10447-54

更新时间： 2024-01-01 13:30:50
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光纤光电二极管光电二极管放大器通信
页数 文件大小 规格书
2页 128K
描述
GaAs PIN photodiode with preamp

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G10447-54 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
主体高度：11.3 mm主体长度或直径：5.08 mm
内置特性：AMPLIFIER通信标准：GBE
连接类型：LC CONNECTOR数据速率：10000 Mbps
发射极/检测器类型：PIN PHOTODIODE光纤设备类型：RECEIVER
光纤类型：MMF安装特点：SURFACE MOUNT
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
最大工作波长：860 nm最小工作波长：840 nm
标称工作波长：850 nm接收类型：DIGITAL
响应度：0.55 A/W最小回损：12 dB
灵敏度：-14 dBm最大供电电压：3.53 V
最小供电电压：3.05 V标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YESBase Number Matches：1

G10447-54 数据手册

 浏览型号G10447-54的Datasheet PDF文件第2页 
P H O T O D I O D E  
GaAs PIN photodiode with preamp  
G10447-51/-54  
ROSA type, 850 nm, 10 Gbps  
Features  
Applications  
φ1.25 mm (-54)/ φ2.5 mm (-51)sleeve type ROSA  
(Receiver Optical Sub-Assembly)  
10 gigabit ethernet  
Optical fiber communications  
High-speed response: 10 Gbps  
Low power supply voltage: Vcc=Vpd=3.3 V  
Differential output  
Sensitivity: +2 to -13.5 dBm Typ. (Extinction ratio=3.0 dB)  
Trans-impedance: 6 kΩ Typ. (single-ended)  
Large area (φ0.06 mm) for multi-mode optical fibers  
ꢀ Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)  
Parameter  
Supply voltage  
Reverse voltage (photodiode)  
Operating temperature *1  
Storage temperature *1  
*1: No condensation  
Symbol  
Vcc  
Value  
-0.5 Min., +3.7 Max.  
7
Unit  
V
V
°C  
°C  
R
V
Topr  
Tstg  
-20 to +85  
-40 to +85  
ꢀ Recommended operating conditions  
Parameter  
Case temperature *1  
Supply voltage  
Reverse voltage (photodiode)  
Spectral response range  
Load resistance *2  
Bit rate  
Symbol  
Value  
-20 to 85  
3.05 to 3.53  
3.05 to 5.0  
830 to 870  
50  
Unit  
°C  
V
V
nm  
Ω
Tc  
Vcc  
Vpd  
λ
L
R
-
-
9 to 10.3  
NRZ, Mark ratio=1/2  
Gbps  
-
Bit pattern  
*2: Capacitive coupling  
ꢀ Electrical and optical characteristics (“ꢀ Recommended operating conditions”, unless otherwise noted)  
Parameter  
Responsivity  
Supply current  
Cut-off frequency  
Low cut-off frequency  
Trans-impedance *3  
Symbol  
R
Icc  
fc  
fc-L  
Tz  
Condition  
Min.  
0.4  
-
6.0  
-
Typ.  
0.55  
32  
8.0  
10  
Max.  
-
45  
12.3  
50  
-
Unit  
A/W  
mA  
GHz  
kHz  
kΩ  
L
Dark state, R =∞  
-3 dB  
-3 dB  
L
R =50 Ω, f=100 MHz  
4
6
PN=31, BER=10-12  
Extinction ratio=3 dB  
λ=850 nm, VECP=3.5 dB  
Extinction  
Stressed receivable sensitivity  
(OMA)  
SRS  
-
-12  
-
dBm  
Minimum receivable sensitivity  
(OMA)  
Pmin  
-
-13.5  
+2  
-12  
-
(OMA)  
ratio=3 dB  
Extinction  
ratio=7 dB  
PN=31  
dBm  
Maximum receivable sensitivity  
(Average)  
BER=10-12  
Pmax  
+0.5  
Output amplitude  
Vomax  
Differential  
Dark state  
Vpd=3.3 V  
300  
-
-
450  
0.02  
-
650  
1
100  
mVpp  
nA  
Tc=25 °C  
D
Dark current  
I
Optical return loss  
Output resistance  
ORL  
Rout  
12  
-
14  
60  
-
-
dB  
Ω
*3: Single-ended (Vout+) measurement  
PRELIMINARY DATA  
Jan. 2007  
1
12

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