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HAD826SP

更新时间： 2024-11-08 22:33:11
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HSMC 晶体晶体管局域网
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3页 32K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HAD826SP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

HAD826SP 数据手册

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Spec. No. :Preliminary Data  
Issued Date : 2000.10.01  
Revised Date : 2000.10.01  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HAD826SP  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HAD826SP is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching  
applications.  
Features  
• Low Collector Saturation Voltage  
• High Speed Switching  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature....................................................................................................... -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature................................................................................................. 150 °C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C)........................................................................................... 500 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage..................................................................................................... 75 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage ................................................................................................. 40 V  
VEBO Emitter to Base Voltage ......................................................................................................... 6 V  
IC Collector Current .................................................................................................................. 500 mA  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=10uA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10uA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
VCB=60V, VEB(OFF)=3V  
VEB=3V, IC=0  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=10V, IC=100uA  
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=150mA  
VCE=10V, IC=500mA  
VCE=1V, IC=150mA  
VCE=20V, IC=20mA, f =100MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
ICEX  
IEBO  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VBE(sat)1  
*VBE(sat)2  
*hFE1  
75  
40  
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
nA  
mv  
V
10  
10  
50  
300  
1
1.2  
2
-
V
V
-
35  
50  
75  
100  
40  
50  
300  
-
*hFE2  
*hFE3  
*hFE4  
*hFE5  
*hFE6  
fT  
Cob  
-
-
300  
-
-
-
8
MHz  
pF  
*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
HSMC Product Specification  
123

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