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HAD826

更新时间： 2024-11-08 22:33:11
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HSMC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 38K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HAD826 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.6 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：35
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

HAD826 数据手册

 浏览型号HAD826的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAD826的Datasheet PDF文件第3页 
Spec. No. : HE6411-B  
Issued Date : 199.03.06  
Revised Date : 2000.09.01  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HAD826  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HAD826 is designed for general purpose amplifier and high  
speed, medium-power switching applications.  
Features  
• Low Collector Saturation Voltage  
• High Speed Switching  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature .......................................................................................... -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature..................................................................................... 150 °C Maximum  
• Maximum Power Dissipations  
Total Power Dissipation (Ta=25°C) .............................................................................. 625 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ 75 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... 60 V  
VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. 6 V  
IC Collector Current....................................................................................................... 600mA  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
V
Test Conditions  
IC=10uA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10uA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
75  
60  
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
10  
10  
50  
300  
1
1.2  
2
-
nA  
nA  
nA  
mV  
V
ICEX  
IEBO  
VCB=60V, VEB(OFF)=3V  
VEB=3V, IC=0  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VBE(sat)1  
*VBE(sat)2  
*hFE1  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VCE=10V, IC=100uA  
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=150mA  
VCE=10V, IC=500mA  
VCE=1V, IC=150mA  
IC=20mA, VCE=20V, f=100MHz  
VCB=10V, F=1MHz  
V
V
-
35  
50  
75  
100  
40  
50  
300  
-
*hFE2  
*hFE3  
*hFE4  
*hFE5  
*hFE6  
fT  
Cob  
-
-
300  
-
-
-
8
MHz  
pF  
HSMC Product Specification  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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