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HA1962

更新时间： 2024-11-13 17:01:39

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TO_3P

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HA1962 数据手册

PNP S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

2SA1962

HA1962

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

音频功率放大。与HC5242 互补。

TO-3P

█ 极限值（T_a=25 ℃）

T_stg——贮存温度………………………………… -55~150℃

T_j——结温…………………………………………… 150℃

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）…………………… 130W

V_CBO——集电极—基极电压……………………………… -230V

V_CEO——集电极—发射极电压…………………………… -230V

V_EBO——发射极—基极电压………………………………… -5V

I_C——集电极电流（DC）…………………………………… -15A

I_C——集电极电流（脉冲）…………………………………… -30A

IB——基极电流……………………………………………… -1.5A

█ 电参数（T_a=25℃）

1―基极，B

2―集电极，C

3―发射极，E

参数符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

符号说明

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

最小值典型值最大值单位

测试条件

-230

-5

I_C=-100μA, I_E=0

I_C=-50mA, I_B=0

I_E=-100μA，I_C=0

-5

μA V_CB=-230V, I_E=0

μA V_EB=-5V, I_C=0

V_CE=-5V, I_C=-1A

IEBO

160

HFE（1）直流电流增益

HFE（2）

V_CE=-5V, I_C=-7A

-1.5

-3

V_CE=-5V, I_C=-7A

VBE

基极—发射极电压

-1.5

I_C=-8A, I_B=-0.8A

VCE(sat）集电极—发射极饱和电压

MHz

V_CE=-5V,I_C=-1A

特征频率

360

V_CB=-10V, I_E=0，f=1MHz

Cob

共基极输出电容

█HFE（1）分档及其标志

55—110

80—160

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