5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | LSSOP, TSOP5/6,.11,37 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 标称共模抑制比： | 70 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 4000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | 长度： | 2.95 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LSSOP |
| 封装等效代码： | TSOP5/6,.11,37 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 功率： | NO | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.3 mm |
| 标称压摆率： | 4 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.8 mA | 供电电压上限： | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.95 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 3300 kHz | 最小电压增益： | 1000 |
| 宽带： | NO | 宽度： | 1.6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HA1630S05LP | RENESAS |
获取价格 |
Ultra-Small Low Voltage Operation CMOS Single Operational Amplifier |
|
| HA1630S06 | RENESAS |
获取价格 |
Ultra-Small Low Voltage Operation CMOS Single Operational Amplifier |
|
| HA1630S06CM | RENESAS |
获取价格 |
Ultra-Small Low Voltage Operation CMOS Single Operational Amplifier |
|
| HA1630S06CM-E | RENESAS |
获取价格 |
IC,OP-AMP,SINGLE,CMOS,TSSOP,5PIN,PLASTIC |
|
| HA1630S06LP | RENESAS |
获取价格 |
Ultra-Small Low Voltage Operation CMOS Single Operational Amplifier |
|
| HA1630S07 | RENESAS |
获取价格 |
Single CMOS High Drive Operational Amplifier |
|
| HA1630S07CM | RENESAS |
获取价格 |
Single CMOS High Drive Operational Amplifier |
|
| HA1630S07LP | RENESAS |
获取价格 |
Single CMOS High Drive Operational Amplifier |
|
| HA1630S08 | RENESAS |
获取价格 |
Single CMOS High Drive Operational Amplifier |
|
| HA1630S08CM | RENESAS |
获取价格 |
Single CMOS High Drive Operational Amplifier |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
