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H8050S

更新时间： 2024-02-15 09:21:41

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	133K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H8050S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	270	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

H8050S 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H8050S

█ APPLICATIONS

Audio Frequency Amplifier.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Juncttion Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………625W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………20V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current………………………………………500mA

TO-92

1―Emitter，E

2―Base，B

3―Collector，C

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min Typ Max

Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

0.1 μA VCB=25V, IE=0

0.1 μA VEB=3V, IC=0

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2）

500

VCE=1V, IC=50mA

VCE=1V, IC=500mA

IC=500mA, IB=50mA

IC=500mA,IB=50mA

V_CE=1V, I_C=10mA

IC=100μA，IE=0

IC=2mA，IB=0

IE=100μA，IC=0

VCE(sat） Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) Base- Emitter Saturation Voltage

VBE(on) Base-Emitter On Voltage

BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage

BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage

BVEBO Emitter- Base Breakdown Voltage

0.6

1.2

0.6

0.73 V

█ hFE Classification

85—160

120—200

160—300

270—500

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