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Datasheet > H8050-B

H8050-B PDF预览

H8050-B

更新时间： 2024-02-20 10:28:54

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NPN Transistors

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H8050-B 数据手册

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SMD Type

Transistors

NPN Transistors

H8050

■ Features

1.70 0.1

● Collector Power Dissipation: PC=0.5W

● Collector Current: I^C=1.5A

Comlementary to H8550

●

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

40

V

V

25

5

1.5

V

Collector current

A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

0.5

W

℃

℃

Tj

150

T^stg

-55 to +150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test conditions

IC= 100μA, IE=0

Min

40

25

5

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

ICEO

IEBO

IC= 0.1mA, IB=0

IE= 100μA, IC=0

VCB= 40 V,IE=0

V

V

0.1

0.1

0.1

400

μA

μA

μA

Collector cut-off current

VCE= 20V, IB=0

Emitter cut-off current

VEB= 5V, IC=0

VCE= 1V, IC= 100mA

VCE= 1V, IC= 800mA

85

40

DC current gain

hFE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

VCE(sat) IC=800mA, IB= 80mA

VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA

VBE(on) Ic=1V,VCE=10mA

0.5

1.2

1

V

V

V

Base-emitter positive favor voltage

output capacitance

VBEF

Cob

fT

IB=1A

1.55

15

V

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

VCE= 10V, IC=50mA

pF

MHz

Transition frequency

100

■ Classification of hfe(1)

Type

Range

Marking

H8050-B

85-160

8050B

H8050-C

120-200

8050C

H8050-D

160-300

8050D

H8050-D3

300-400

8050D3

1

www.kexin.com.cn

12

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