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H8050

更新时间： 2024-01-05 05:20:20

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TYSEMI		PC
页数	文件大小	规格书
2页	331K
描述
Collector Power Dissipation: PC=0.5W, Collector Current: IC=1.5A

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技术参数
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H8050 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	270	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO

H8050 数据手册

SSMMDD TTyyppee

Product specification

H8050

SOT-89

Unit: mm

+0.1

4.50_-0.1

1.50_-0.1

+0.1

■ Features

● Collector Power Dissipation: PC=0.5W

1.80_-0.1

● Collector Current: IC=1.5A

0.53_-0.1

+0.1

0.48_-0.1

0.44_-0.1

1. Base

+0.1

3.00_-0.1

2. Collector

3. Emiitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

1.5

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.5

℃

150

Tstg

-55 to +150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Testconditons

IC= 100μA, IE=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

ICEO

IEBO

IC= 0.1mA, IB=0

IE= 100μA, IC=0

VCB= 40 V,IE=0

0.1

400

μA

Collector cut-off current

VCE= 20V, IB=0

Emitter cut-off current

VEB= 5V, IC=0

VCE= 1V, IC= 100mA

VCE= 1V, IC= 800mA

DC current gain

hFE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

VCE(sat) IC=800mA, IB= 80mA

VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA

VBE(on) Ic=1V,VCE=10mA

0.5

1.2

Base-emitter positive favor voltage

output capacitance

VBEF

Cob

IB=1A

1.55

VCB=10V,IE=0,f=1MHz

VCE= 10V, IC=50mA

MHz

Transition frequency

100

■ hFE Classification

Rank

hFE

85 ～ 160

120～200

160～300

300～400

http://www.twtysemi.com

1 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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