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H5MS1222EFP-Q3M

更新时间： 2024-02-09 14:45:25

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
62页	1782K
描述
128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O

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H5MS1222EFP-Q3M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	185 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O

Specification of

128M (4Mx32bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 1,048,576 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Jun. 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS1262EFP-J3E	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-J3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-K3E	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-K3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-L3E	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-L3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1G22MFP-E3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G22MFP-J3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G22MFP-K3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G22MFP-L3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O