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H5MS1222EFP-L3E

更新时间： 2024-09-23 07:02:35

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
62页	1782K
描述
128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O

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H5MS1222EFP-L3E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.085 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O

Specification of

128M (4Mx32bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 1,048,576 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Jun. 2008

12 3 4 5 6 7...62

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS1222EFP-L3M	HYNIX	获取价格	128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O
H5MS1222EFP-Q3E	HYNIX	获取价格	128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O
H5MS1222EFP-Q3M	HYNIX	获取价格	128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 1M x 4Bank x32 I/O
H5MS1262EFP-J3E	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-J3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-K3E	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-K3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-L3E	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1262EFP-L3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1G22MFP-E3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O