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H55S1222EFP-60E

更新时间： 2024-11-29 07:02:35

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海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
54页	1097K
描述
128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O

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H55S1222EFP-60E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O

Specification of

128M (4Mx32bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 1,048,576 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / Jun. 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H55S1222EFP-60M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O
H55S1222EFP-75E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O
H55S1222EFP-75M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O
H55S1222EFP-A3E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O
H55S1222EFP-A3M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 1M x 4Bank x32 I/O
H55S1262EFP-60E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-60M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-75E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-75M	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
H55S1262EFP-A3E	HYNIX	获取价格	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O