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H5342

更新时间： 2024-11-11 07:02:35

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	136K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H5342 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H5342

█ APPLICATIONS

Medium power amplifier.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Juncttion Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………625mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………32V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current………………………………………500mA

TO-92

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

Characteristics

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter- Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Min Typ Max

Unit

Test Conditions

IC=100μA，IE=0

IC=1mA，IB=0

IE=10μA，IC=0

0.1 μA VCB=40V, IE=0

0.1 μA VEB=5V, IC=0

IEBO

Emitter Cut-off Current

HFE

DC Current Gain

240

VCE=1V, IC=100mA

IC=100mA, IB=10mA

VCE(sat） Collector- Emitter Saturation Voltage

0.25

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacacitance

300

7.0

MHz VCE=6V, IE=-20mA

pF VCB=6V,IE=0，f=1MHz

Cob

█ hFE Classification

70—140

120—240

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