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H3953

更新时间： 2024-11-05 07:02:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	111K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H3953 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H3953

█ APPLICATIONS

High-definition CRT display video output，wide-band amplifier.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-126ML

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 8W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.3W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 120V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 120V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 3V

I_C——Collector Current……………………………………200mA

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage

BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 120

BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage

120

I_C=10μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=100μA，I_C=0

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

HFE

0.1 μA V_CB=80V, I_E=0

1 μA V_EB=2V, I_C=0

200

V_CE=10V, I_C=10mA

I_C=30mA, I_B=3mA

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Cob

400

2.1

MHz V_CE=10V, I_C=50mA,

pF V_CB=30V,f=1MHz

Output Capacitance

█ h^FEClassification

40—80

60—120

100—200

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