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H370

更新时间： 2024-11-24 07:02:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	99K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H370 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H370

█ APPLICATIONS

If pre-amplifiers of television receivers

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………500mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………15V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………4.5V

I_C——Collector Current………………………………………100mA

1― Collector，C

2― Base，B

3―Emitter，E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Collector Cut-off Current

Emitter-Base Cut-off Current

DC Current Gain

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

HFE

400 nA

100 nA

V_CB=20V, I_E=0

V_EB=2V, I_C=0

V_CE=1V, I_C=10mA

I_C=10mA ，V_CE=10V,

Current Gain-Bandwidth Product

500

490

MHz

I_C=40mA， f=100MHz

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