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H368

更新时间： 2024-11-20 07:02:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	154K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H368 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H368

█ APPLICATIONS

General Purpose Amplifier Application.

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………0.83W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………32V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………20V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current……………………………………………1A

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

BVCBO

BVCEO

BVEBO

I_C=100μA, I_E=0

I_C=2mA, I_B=0

I_E=100μA，I_C=0

V_CE=1V, I_C=500mA

V_CE=10V, I_C=5mA

V_CE=1V, I_C=1A

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2）

375

HFE（3）

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(on1) Base-Emitter On Voltage

VBE(on2) Base-Emitter On Voltage

0.5 V

I_C=1A, I_B=100mA

V_CE=1V, I_C=1A

V_CE=10V, I_C=5mA

0.7 V

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Current Gain-Bandwidth Product

Collector Capacitance

ICBO（1）

ICBO（2）

IEBO

0.1 μA V_CB=25V, I_E=0

10 μA V_CB=25V, I_E=0,Ta=150℃

0.1 μA V_EB=5V, I_C=0

40 170

MHz V_CE=5V, I_C=50mA ,f=100MHz

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

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