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H285TBXX

更新时间： 2022-12-18 02:09:52

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PHASE CONTROL THYRISTOR

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PHASE CONTROL THYRISTOR H285TBXX

T_J

Symbol

Characteristics

Conditions

Value

Unit

(⁰C)

BLOCKING PARAMETERS

V_RRM

V_DRM

Repetitive peak reverse voltage

Repetitive peak off-stage

voltage

125

125

200-600

200-600

V

V

I_RRM

I_DRM

V = V_RRM

V = V_RRM

Repetitive peak reverse current

Repetitive peak off-state current

125

125

50

50

mA

mA

CONDUCTING PARAMETERS

180 sine, 50H_Z,

T_C= 82⁰C

I_F(AV)

Average on-state current

285

A

I_RMS

I_TSM

RMS on-state current

Surge on-state current

450

A

Sine wave,

10mS without

reverse voltage

6.50

kA

125

125

I²t

I²t

kA²S

211

On-state

current = 1 kA

V_T

Peak on-state voltage drop

1.70

V

V₀

R₀

Threshold voltage

On-state slope resistance

125

125

0.80

0.75

V

mΩ

TRIGGERING PARAMETERS

I_GT

V_GT

I_L

V_D= 5V

Gate trigger current

Gate trigger voltage

Latching Current

25

25

25

200

2.00

600

mA

V

mA

V_D= 5V

Pulse width

100μSec

P_{G –PEAK}

Maximum Peak Gate Power

130

W

di/dt

V_FGM

I_FGM

Repetitive rate of rise of current

Maximum forward gate voltage

Maximum forward gate current

150

12

30

A/μSec

V

A

THERMAL & MECHANICAL PARAMETERS

Thermal impedance, 180

R_{TH (J-C)}

⁰C/W

⁰C/W

⁰C

Junction to case

0.113

0.04

125

conduction, Sine

Case to

heatsink

R_{TH (C-HK)}

Thermal impedance

Maximum Permissible junction

temperature

T_J

T_STG

⁰C

NM

gms

Storage temperature range

-40 - 125

26

F

W

Mounting Torque

Weight

320

1 of 6

HIND RECTIFIERS LTD

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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