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H2274

更新时间： 2024-11-02 07:02:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	105K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H2274 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H2274

█ APPLICATIONS

Low frequency power amplifier Applications.

TO-92

█ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………600mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………60V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………50V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current………………………………………500mA

I_CP——Collector Curren（t Pulse）………………………………800mA

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

I_C=10μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10μA，I_C=0

1.0 μA V_CB=40V, I_E=0

1.0 μA V_EB=4V, I_C=0

IEBO

Emitter Cut-off Current

HFE(1)

HFE(2)

DC Current Gain

320

V_CE=5V, I_C=50mA

V_CE=5V, I_C=400mA

I_C=400mA, I_B=40mA

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage

0.2 0.6 V

0.9 1.2 V

Current Gain-Bandwidth Product

Cob

120

MHz V_CE=10V, I_C=10mA

pF V_CB=10V, f=1MHz

Output Capacitance

█ hFE Classification

60—120

120—200

160—320

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