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H227

更新时间： 2024-01-21 04:28:49

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	146K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H227 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H227

█ APPLICATIONS

Low frequency power amplifier.

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………400mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………30V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………25V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current……………………………………300mA

1―Emitter，E

2―Base，B

3―Collector，C

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

BVCBO

BVCEO

BVEBO

HFE

I_C=100μA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0

I_E=10μA，I_C=0

V_CE=1V, I_C=50mA

I_C=300mA, I_B=30mA

400

0.14 0.4 V

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

Collector Cut-off Current

ICBO

IEBO

100 nA V_CB=25V, I_E=0

Emitter Cut-off Current

100 nA V_EB=3V, I_C=0

█ h^FEClassification

70—140

120—240

200—400

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