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H2120

更新时间： 2024-01-31 17:12:40

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	165K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H2120 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H2120

█ APPLICATIONS

Audio Power Amplifier Application.

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………600mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………35V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………30V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………5V

I_C——Collector Current……………………………………800mA

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

BVCBO

BVCEO

BVEBO

I_C=0.1mA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0

I_E=0.1mA，I_C=0

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2） DC Current Gain

100

320

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=1V, I_C=700mA

I_C=500mA, I_B=20mA

V_CE=1V, I_C=10mA

VCE(sat)

VBE

ICBO

IEBO

Collector- Emitter Saturation Voltage

0.5 V

0.8 V

Base-Emitter Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

0.5

100 nA V_CB=35V, I_E=0

100 nA V_EB=5V, I_C=0

MHz V_CE=5V, I_C=10mA

120

Cob

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

█ hFE Classification

100—200

160—320

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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H212008000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block,
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H2122-00	HARWIN	获取价格	TERMINAL
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H213002000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
H213004000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
H213005000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
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