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H1KFS

更新时间： 2024-03-03 10:09:30
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扬杰 - YANGJIE /
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描述
SMAF

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H1KFS 数据手册

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RoHS  
H1AFS THRU H1MFS  
COMPLIANT  
Surface Mount High Efficient Rectifier  
Features  
● Low profile package  
● Ideal for automated placement  
● Glass passivated chip junction  
● High forward surge capability  
● Super fast reverse recovery time  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
Typical Applications  
For use in high frequency rectification of power  
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for  
consumer, and telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: SMAF  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Cathode line denotes the cathode end  
Polarity:  
(Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
■Maximum Ratings  
H1AFS  
H1AFS  
50  
H1BFS  
H1BFS  
100  
H1DFS  
H1DFS  
200  
H1GFS  
H1GFS  
400  
H1JFS  
H1JFS  
600  
H1KFS  
H1KFS  
800  
H1MFS  
H1MFS  
1000  
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
Device marking code  
V
V
V
V
V
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
RMS  
35  
70  
140  
280  
420  
560  
700  
V
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Maximum DC blocking Voltage  
DC  
Average rectified output current  
I
A
1.0  
30  
O
@60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1)  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
IFSM  
A
60  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃  
A2s  
I2t  
3.735  
T
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Storage temperature  
stg  
℃
℃
T
j
Junction temperature  
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
H1AFS H1BFS H1DFS H1GFS H1JFS H1KFS H1MFS  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT TEST CONDITIONS  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
V
I
=1.0A  
FM  
V
1.0  
1.3  
1.7  
75  
F
IF=0.5A,IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Maximum reverse recovery time  
trr  
ns  
50  
5.0  
T =25℃  
j
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
I
μA  
R
100  
T =125℃  
j
Measured at 1MHz and  
Applied Reverse  
Typical junction capacitance  
Cj  
pF  
15  
10  
7
Voltage of 4.0 V.D.C  
1 / 5  
S-S1703  
Rev. 2.5, 23-Nov-21  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
12345

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