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H1684

更新时间： 2024-11-02 07:02:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	114K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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H1684 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1684

█ APPLICATIONS

Medium frequency power amplifier，Medium Seed switching.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-126ML

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 10W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.5W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 120V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 100V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 6V

I_C——Collector Current……………………………………1.5A

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage

BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage 100

BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage

120

I_C=10μA, I_E=0

I_C=1mA, I_B=0

I_E=10μA，I_C=0

Collector Cut-off Current

ICBO

IEBO

100 nA V_CB=100V, I_E=0

100 nA V_EB=4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

HFE（1^）DC Current Gain

HFE（2^）DC Current Gain

100

400

V_CE=5V, I_C=100mA

V_CE=5V, I_C=1A

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage

0.1 0.3 V

0.85 1.2 V

I_C=500mA, I_B=50mA

tON

tSTG

Turn-On Time

Storage Time

Fall Time

1000

See specified test circuit

Current Gain-Bandwidth Product

Cob

120

MHz V_CE=10V, I_C=50mA,

pF V_CB=10V, I_E=0,f=1MHz

Output Capacitance

█ hFE Classification

100—200

140—280

200—400

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