Datasheet > H1674

H1674

更新时间： 2024-11-02 07:02:31

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	144K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

H1674 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1674

█ TV PIF AMPLIFIER,FM TUNER RF AMPLIFIER,

MIXER, OSCILLATOR

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………250mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………30V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………20V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………4V

I_C——Collector Current……………………………………20mA

1―Emitter，E

2―Base，B

3―Collector，C

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Collector Cut-off Current

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

0.1 μA V_CB=30V, I_E=0

0.1 μA V_EB=4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

HFE

DC Current Gain

240

V_CE=6V, I_C=1mA

I_C=10mA, I_B=1mA

V_CE=6V, I_C=1mA

I_C=10μA, I_E=0

I_C=5mA, I_B=0

I_E=10μA，I_C=0

VCE(sat)

VBE(on)

BVCBO

BVCEO

BVEBO

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

0.1 0.3 V

0.72

400 600

1.2

MHz V_CE=6V, I_C=1mA

pF V_CB=6V, I_E=0，f=1MHz

Cob

█ hFE Classification

40—80

70—140

120—240

中文翻译

下载PDF

与H1674相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H1684	HUASHAN	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
H16A1	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts
H16A2	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts
H16A3	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts
H16B1	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts
H16B2	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts
H16B3	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts
H16C05	MOSPEC	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(16A,50-200V)
H16C05PT	CHENMKO	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
H16C1	MCC	获取价格	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts