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H1423

更新时间： 2024-09-30 07:02:31

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	101K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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H1423 数据手册

PN P S I LI C O N T RAN S I S TO R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1423

█ GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND LOW NOISE

AMPLIFIER APPLICATIONS

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………625mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………-40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-40V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………-7V

1―Emitter，E

2―Base，B

3―Collector，C

I_C——Collector Current……………………………………-200mA

I_C——Collector Current……………………………………300mA

I_B——Base Current……………………………………………-200mA

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

BVCEO

ICBO

IEBO

HFE

VCE(sat)

VBE

-40

I_C=-1mA, I_B=0

-50 nA V_CB=-30V, I_E=0

-100 nA V_EB=-6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

400

-0.22 V I_C=-50mA, I_B=-10mA

V_CE=-5V, I_C=-2mA

-0.65

Current Gain-Bandwidth Product

150 300

MHz V_CE=-5V, I_C=-10mA

Cob

Output Capacitance

4.5 pF V_CB=-10V, I_E=0，f=1MHz

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H1426	HUASHAN	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR
H1450CHXX	HIRECT	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTOR
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H14B	RENESAS	获取价格	1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE
H-1-4BNC	TE	获取价格	UHF Hybrid Junction 5 MHz - 1 GHz
H14C	HITACHI	获取价格	1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE
H14D	HITACHI	获取价格	1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE
H14F	HITACHI	获取价格	1A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE
H14J	HITACHI	获取价格	1A, 1000V, SILICON, SIGNAL DIODE
H-1-4N	TE	获取价格	UHF Hybrid Junction 5 MHz - 1 GHz