Datasheet > H1302

H1302

更新时间： 2024-11-06 11:05:07

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	104K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

H1302 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1302

█ AUDIO MUTING APPLICATION.

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………400mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………25V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………20V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………12V

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

I_C——Collector Current……………………………………300mA

I_B——Base Current……………………………………………30mA

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector Cut-off Current

ICBO

IEBO

100 nA V_CB=25V, I_E=0

100 nA V_EB=12V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

HFE

DC Current Gain

200

800

V_CE=2V, I_C=4mA

VCE(sat)

VBE(sat)

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

0.25 V I_C=100mA, I_B=10mA

1.0 V I_C=100mA, I_B=10mA

MHz V_CE=10V, I_C=1mA

Cob

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

█ hFE Classification

200—350

300—500

400—800

中文翻译

下载PDF

与H1302相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H1302FNL	PULSE	获取价格	PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX
H1302FNLT	PULSE	获取价格	PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX
H1302NL	PULSE	获取价格	RoHS peak reflow temperature rating: 245C
H1302NL3	PULSE	获取价格	10/100BASE-T SINGLE PORT SURFACE MOUNT MAGNETICS
H1305NL	PULSE	获取价格	Star Magneticsâ¢ 10/100BASE-T Transformer Mo
H130A	RALTRON	获取价格	SURFACE MOUNT MICROPROCESSOR CRYSTAL
H130A-10.000-32-1020-EXT-TR	RALTRON	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal
H130A-10.000-S-2010-EXT-TR	RALTRON	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal
H130A-10.000-S-2030-EXT-TR	RALTRON	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal
H130A-11.990-18-1010-TR	RALTRON	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal