5秒后页面跳转
H13003D PDF预览

H13003D

更新时间: 2024-11-07 17:01:11
品牌 Logo 应用领域
华汕 - HUASHAN /
页数 文件大小 规格书
3页 242K
描述
TO-126

H13003D 数据手册

 浏览型号H13003D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H13003D的Datasheet PDF文件第3页 
N P N S I L I C O N  
T R A N S I S T O R  
汕头华汕电子器件有限公司  
对应国外型号  
ST13003D  
H13003D  
█ 主要用途  
█ 外形图及引脚排列  
高压快速开关。电子镇流器、电子变压器等应用。  
█ 极限值Ta=25℃)  
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃  
Tj —结温…………………………………………… 150℃  
PC——集电极功率耗Tc=25……………………… 40W  
VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V  
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V  
VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V  
IC——集电极电流(DC)…………………………………… 1.5A  
IC——集电极电流(脉冲)…………………………………… 3A  
IB——基极电流………………………………………………0.75A  
1―基 极,B  
2―集电极,C  
3―发射极,E  
█ 电参数Ta=25℃)  
参数符号  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
符 号 说 明  
集电极—基极击穿电压  
集电极—发射极击穿电压  
发射极—基极击穿电压  
集电极—基极截止电流  
发射极—基极截止电流  
直流电流增益  
最小值 典型值 最大值 单 位  
测 试 条 件  
700  
400  
9
V
V
V
IC=1mA,IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=1mA,IC=0  
10  
0.1  
40  
μA VCB=600V, IB=0  
IEBO  
mA  
VEB=9V, IC=0  
hFE  
14  
9
VCE=10V, IC=0.2A  
VCE=5V, IC=1mA  
VCE=5V, IC=1A  
IC=0.5A, IB=0.1A  
IC=1A, IB=0.25A  
IC=1.5A, IB=0.5A  
IC=0.5A, IB=0.1A  
IC=1A, IB=0.25A  
IF=1A  
5
VCE(sat) 集电极—发射极饱和电压  
0.5  
1
V
V
3
V
VBE(sat)  
基极—发射极饱和电压  
1.0  
1.2  
2.2  
1
V
V
VF  
ton  
ts  
内部二极管正向压降  
导通时间  
V
μs  
μs  
μs  
μs  
VCC=125V, IC=1A,  
IB1=-IB2=0.2A  
载流子贮存时间  
下降时间  
4
tf  
0.7  
4
Vcc=5V,Ic=0.25A  
ts  
贮存时间  
1.5  
分档: H114--21)  
H219--26H324--31H429--40)  

与H13003D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
H13003H HUASHAN

获取价格

TO-126
H1300-400 MPSIND

获取价格

HIGH CURRENT INDUCTORS FOR INVERTER SYSTEMS
H1300-780 MPSIND

获取价格

HIGH CURRENT INDUCTORS FOR INVERTER SYSTEMS
H1300-940 MPSIND

获取价格

HIGH CURRENT INDUCTORS FOR INVERTER SYSTEMS
H1302 HUASHAN

获取价格

NPN SILICON TRANSISTOR
H1302FNL PULSE

获取价格

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX
H1302FNLT PULSE

获取价格

PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX
H1302NL PULSE

获取价格

RoHS peak reflow temperature rating: 245C
H1302NL3 PULSE

获取价格

10/100BASE-T SINGLE PORT SURFACE MOUNT MAGNETICS
H1305NL PULSE

获取价格

Star Magnetics™ 10/100BASE-T Transformer Mo