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H1270

更新时间： 2024-11-11 07:02:27

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	105K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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H1270 数据手册

PNP S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1270

█ CENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………500mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………-35V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-30V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………-5V

I_C——Collector Current……………………………………-500mA

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

-100 nA V_CB=-35V, I_E=0

-100 nA V_EB=-5V, I_C=0

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2）

240

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-6V, I_C=-400mA

VCE(sat)

VBE

Collector- Emitter Saturation Voltage

-0.1 -0.25 V I_C=-100mA, I_B=-10mA

-0.8 -1.0 V I_C=-1A, I_B=-100mA

Base-Emitter Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

200

MHz V_CE=-6V, I_C=-20mA

Cob

pF V_CB=-6V, I_E=0，f=1MHz

█ hFE Classification

70—140

120—240

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