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H1268

更新时间： 2024-11-10 07:02:27

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	107K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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H1268 数据手册

PNP S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1268

█ LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.

HIGH VOLTAGE APPLICATION

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………300mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………-120V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-120V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………-5V

I_C——Collector Current……………………………………-100mA

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

BVCEO

ICBO

IEBO

HFE

VCE(sat)

VBE

-120

I_C=-1mA, I_B=0

-100 nA V_CB=-120V, I_E=0

-100 nA V_EB=-5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

200

700

V_CE=-6V, I_C=-2mA

I_C=-10mA, I_B=-1mA

I_C=-6A, I_B=-2mA

-0.3 V

-0.65

100

MHz V_CE=-6V, I_C=-1mA

Cob

Output Capacitance

4.0

pF V_CB=-10V, I_E=0，f=1MHz

V_CE=-6V, I_C=-100μA，

f=10Hz，Rg=10KΩ

V_CE=-6V, I_C=-100μA，

Noise Figure

f=1Hz，Rg=10KΩ

V_CE=-6V, I_C=-100μA，

f=1Hz，Rg=100KΩ

█ hFE Classification

350—700

200—400

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