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H1266

更新时间： 2024-09-23 07:02:27

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	167K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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H1266 数据手册

PNP S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1266

█ APPLICATIONS

General Purpose Application.

Switching Application.

TO-92

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………400mW

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………-50V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-50V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………-5V

I_C——Collector Current………………………………………-150mA

Ib——Base Current……………………………………………-50mA

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

BVCBO

BVCEO

BVEBO

-50

-5

I_C=-100μA, I_E=0

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10μA，I_C=0

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2） DC Current Gain

400

V_CE=-6V, I_C=-2mA

V_CE=-6V, I_C=-150mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

ICBO

IEBO

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Collector Cut-off Current

-0.1 -0.3 V

-1.1 V

-100 nA V_CB=-50V, I_E=0

-100 nA V_EB=-5V, I_C=0

MHz V_CE=-10V, I_C=-10mA

Emitter Cut-off Current

Current Gain-Bandwidth Product

Cob

Output Capacitance

pF V_CB=-50V, I_E=0，f=1MHz

█ hFE Classification

200—400

70—140

120—240

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