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H11F1SR2M PDF预览

H11F1SR2M

更新时间： 2024-11-19 11:09:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件光电
页数 文件大小 规格书
10页 333K
描述
6 引脚 DIP 双向模拟 FET 输出光耦合器

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H11F1SR2M 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DIP-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
风险等级：1.47其他特性：UL RECOGNIZED
配置：SINGLE最大正向电流：0.06 A
最大正向电压：1.75 V最大绝缘电压：7500 V
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
元件数量：1最大通态电流：1 A
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：FET OUTPUT OPTOCOUPLER最大功率耗散：0.1 W
最长响应时间：0.000025 s子类别：Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

H11F1SR2M 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Photo FET Optocouplers  
PDIP6 8.51x6.35, 2.54P  
CASE 646BX  
H11F1M, H11F2M, H11F3M  
6
6
1
1
General Description  
The H11FXM series consists of a Gallium−Aluminum−Arsenide  
IRED emitting diode coupled to a symmetrical bilateral silicon  
photo−detector. The detector is electrically isolated from the input  
and performs like an ideal isolated FET designed for distortion−free  
control of low level AC and DC analog signals. The H11FXM series  
devices are mounted in dual in−line packages.  
PDIP6 8.51x6.35, 2.54P  
CASE 646BY  
PDIP6 8.51x6.35, 2.54P  
CASE 646BZ  
Features  
6
• As a Remote Variable Resistor:  
1
♦ ≤ 100 W to ≥ 300 MW  
♦ ≤15 pF Shunt Capacitance  
♦ ≥100 GW I/O Isolation Resistance  
• As an Analog Switch:  
MARKING DIAGRAM  
♦ Extremely Low Offset Voltage  
ON  
♦ 60 V  
Signal Capability  
pk−pk  
H11F1  
VXYYQ  
♦ No Charge Injection or Latch−Up  
♦ UL Recognized (File #E90700)  
• These are Pb−Free Devices  
Application  
H11F1 = Specific Device Code  
• As a Remote Variable Resistor:  
♦ Isolated Variable Attenuator  
♦ Automatic Gain Control  
V
= VDE Mark (Only appears on parts ordered  
with VDE option − See order entry table)  
= One−Digit Year Code, e.g., “7”  
= Two Digit Work Week Ranging  
from “01” to “53”  
X
YY  
♦ Active Filter Fine Tuning/Band Switching  
Q
= Assembly Package Code  
• As an Analog Switch:  
♦ Isolated Sample and Hold Circuit  
♦ Multiplexed, Optically Isolated A/D Conversion  
SCHEMATIC  
OUTPUT  
ANODE  
6
5
4
1
2
3
TERM.  
CATHODE  
OUTPUT  
TERM.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
September, 2022 − Rev. 3  
H11F3M/D  
1234567...10

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H11F1SR2M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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