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H1144

更新时间： 2024-09-25 07:02:27

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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1页	113K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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H1144 数据手册

PN P S I LI C O N T RAN S I S TO R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

H1144

█ APPLICATIONS

Medium frequency power amplifier，Medium Seed switching.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-126ML

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 10W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.5W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… -120V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… -100V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… -6V

I_C——Collector Current……………………………………-1.5A

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage

BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage -100

BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage

-120

I_C=-10μA, I_E=0

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10μA，I_C=0

-6

Collector Cut-off Current

ICBO

IEBO

-100 nA V_CB=-100V, I_E=0

-100 nA V_EB=-4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

HFE（1^）DC Current Gain

HFE（2^）DC Current Gain

100

400

V_CE=-5V, I_C=-100mA

V_CE=-5V, I_C=-1A

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage

0.18 0.5

I_C=-500mA, I_B=-50mA

0.85 1.2

tON

tSTG

Turn-On Time

Storage Time

Fall Time

750

See specified test circuit

Current Gain-Bandwidth Product

Cob

100

MHz V_CE=-10V, I_C=-50mA,

pF V_CB=-10V, I_E=0,f=1MHz

Output Capacitance

█ hFE Classification

100—200

140—280

200—400

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