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GWM160-0055P3

更新时间： 2024-11-18 22:13:55

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3页	80K
描述
Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

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GWM160-0055P3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	160 A
最大漏源导通电阻：	0.0029 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDFP-F17	元件数量：	6
端子数量：	17	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

GWM160-0055P3 数据手册

GWM 160-0055P3

V_DSS

I_D25

= 55 V

= 160 A

Three phase full bridge

with Trench MOSFETs

in DCB isolated high current package

R_{DSon typ.}= 2.3 mΩ

L +

Preliminary data

L -

Applications

MOSFETs

AC drives

• in automobiles

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

-electric power steering

-starter generator

• in industrial vehicles

-propulsion drives

-fork lift drives

T_VJ= 25°C to 150°C

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

160

120

• in battery supplied equipment

I_F25

I_F90

T_C= 25°C (diode)

T_C= 90°C (diode)

135

Features

• MOSFETs in trench technology:

-low R_DSon

-optimized intrinsic reverse diode

• package:

-high level of integration

-high current capability

-auxiliary terminals for MOSFET control

-terminals for soldering or welding

connections

-isolated DCB ceramic base plate

with optimized heat transfer

Symbol

R_DSon

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

on chip level at

V_GS= 10 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.3

3.8

2.9 mΩ

mΩ

V_GSth

I_DSS

V_DS= 20 V;I_D= 1 mA

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

0.1

I_GSS

V_GS= 20 V; V_DS= 0 V

0.2 µA

Q_g

Q_gs

Q_gd

V_GS= 10 V; V_DS= 44 V; I_D= 25 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V; V_DS= 30 V;

I_D= 25 A; R_G= 10 Ω

V_F

t_rr

(diode) I_F= 80 A; V_GS= 0 V

0.9

1.4

(diode) I_F= 20 A; -di/dt = 100 A/µs; V_DS=30 V

100

R_thJC

R_thJH

0.85 K/W

K/W

with heat transfer paste

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GWM160-0055X1-SL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 55V, 0.0033ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, M
GWM160-0055X1-SMD	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 55V, 0.0033ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, M
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GWM60-0055X-BL	IXYS	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 55V, 6-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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