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GTS15PI120B3H

更新时间： 2024-11-21 17:15:55

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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14页	560K
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PIM IGBT-1200V

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GTS15PI120B3H 数据手册

GTS15PI120B3H

IGBT Module

Features：

Circuit Diagram



Field Stop Trench Gate IGBT



Short Circuit Rated >10μs

Low Saturation Voltage



Low Switching Loss

100% RBSOA Tested(2×Ic)

Low Stray Inductance

Lead Free,Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Motor Drives

Air Conditioning

Auxiliary Inverters

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

T_J=25℃

1200

±20

Gate-Emitter Voltage

T_C=100℃

T_C=25℃

tp=1ms

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

>10

225

μs

T_C=25℃

T_Jmax=175℃

Maximum Power Dissipation per Leg

www.njsme.com

Page 1 REV.A

04/14/2022

SYS

12 3 4 5 6 7...14

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