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GBG640CT

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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GTM /
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3页 182K
描述
low voltage, high frequency inverter,

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GBG640CT 数据手册

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GTM CORPORATION  
Page : 1/3  
GBG640CT  
Description  
T
he GBG640CT is designed for low voltage, high frequency inverter, free wheeling, and polarity protection application.  
Package Dimensions  
TO-252  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
6.80  
5.50  
7.20  
2.80  
Min.  
0.50  
2.20  
0.45  
0
Max.  
A
B
C
D
E
F
6.40  
5.20  
6.80  
2.20  
G
H
J
0.70  
2.40  
0.55  
0.15  
1.50  
5.80  
1.20  
K
L
2.30 REF.  
0.90  
5.40  
0.80  
0.70  
0.60  
0.90  
0.90  
M
R
S
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
ć
Junction Temperature  
Tj  
-40~+125  
-40~+125  
6.0  
ć
Storage Temperature  
Tstg  
R
Ӱ
ć/W  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
JC  
Peak Repetitive Forward Current, Tc = 125к  
(Rated VR, Square Wave,20 kHz) Per Diode  
IFRM  
6
A
Reverse Leakage Current @ Tj = 25 к  
VR= 40V  
0.3  
20  
mA  
mA  
V
I
RM  
Reverse Leakage Current @ Tj = 125 к VR=40V  
Forward Voltage Drop @ IF = 3.0A , Tj = 25 к  
Forward Voltage Drop @ IF = 3.0A , Tj = 125 к  
0.55  
0.49  
V
FM  
V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 5us  
Single half Sine-wave superimposed on rated load  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 10ms  
Single half Sine-wave superimposed on rated load  
490  
75  
A
A
IFSM  
Peak Repetitive Reverse Surge Current(2us,1kHz)  
Rectangular waveform  
I
RRM  
1
6
A
A
V
V
IF  
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
VRRM  
40  
40  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
GTM Product Specification  
123

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