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G2302

更新时间： 2024-02-03 06:32:50

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4页	367K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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数据手册

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G2302 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

G2302 数据手册

Pb Free Plating Product

ISSUED DATE :2004/07/06

GTM

CORPORATION

REVISED DATE :2005/03/14B

BVDSS

DS(ON)

20V

85mΩ

3.2A

G2302

N - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T

Description

The G2302 provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistance and

cost-effectiveness.

Features

*Capable of 2.5V gate drive

*Small Package Outline

Package Dimensions

TPU.34)QBDLBHF*

Millimeter

REF.

Min.

2.70

2.40

1.40

0.35

Max.

3.10

2.80

1.60

0.50

0.10

0.55

Min.

Max.

1.90 REF.

1.00

0.10

0.40

0.85

0̓

1.30

0.20

1.15

10̓

0.45

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

V_DS

Ratings

Unit

Gate-Source Voltage

V_GS

f12

3.2

2.6

Continuous Drain Current³, V_GS@4.5V

Pulsed Drain Current^1,2

I_D@T

=25к

=70к

I_DM

P_D@T

=25к

Power Dissipation

Linear Derating Factor

1.38

0.01

-55 ~ +150

W/ć

Operating Junction and Storage Temperature Range

Tj, Tstg

Thermal Data

Parameter

Symbol

Rthj-a

Ratings

Unit

ć/W

Thermal Resistance Junction-ambient³Max.

G2302

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