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GT400SD65T2ZH-M

更新时间： 2024-11-10 17:15:31

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	424K
描述
IGBT Single-650V

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GT400SD65T2ZH-M 数据手册

GT400SD65T2ZH-M

Preliminary Data

IGBT Module

Features：



Field Stop Trench Gate IGBT



Short Circuit Rated >10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested(2×Ic)

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



High Power Converters

Induction Heating

UPS Systems

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values of IGBT(T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

650

±20

400

800

>10

3260

T_C= 100℃

T_C= 25℃

T_J= 175℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C= 25℃

T_Jmax=175℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

www.njsme.com

Page 1 REV.01

03/06/2020

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