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GT400HF65T2VH-M

更新时间： 2024-11-19 17:15:15

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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9页	345K
描述
IGBT Half Bridge-650V

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GT400HF65T2VH-M 数据手册

GT400HF65T2VH-M

Preliminary Data

IGBT Module

Features：



Field Stop Trench Gate IGBT



Short Circuit Rated ＞10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



High Power Converters

Industrial Motor Drives

UPS Systems



Maximum Rated Values of IGBT(T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

650

±20

400

630

800

>10

1650

T_C= 100℃

T_C= 25℃

T_J= 175℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C= 25℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=175℃

www.njsme.com

Page 1 Rev.01

10/15/2018

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