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GT20J341

更新时间: 2024-11-20 12:33:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 251K
描述
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

GT20J341 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):20 A
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):370 ns标称接通时间 (ton):200 ns
Base Number Matches:1

GT20J341 数据手册

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GT20J341  
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT  
GT20J341  
1. Applications  
Motor Drivers  
2. Features  
(1) Sixth generation  
(2) Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (typ.) (IC = 20 A)  
(3) FRD included between emitter and collector  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Gate  
2: Collector  
3: Emitter  
TO-220SIS  
2012-04-26  
Rev.2.0  
1

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连接器类型:插口;线束品:无;(Max.)频率:2.5 GHz;PIN数:1;插拔次数:3