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GT20J321

更新时间： 2024-11-05 22:32:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
High Power Switching Applications Fast Switching Applications

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GT20J321 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	LEAD FREE, 2-10R1C, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	340 ns
标称接通时间 (ton)：	170 ns	Base Number Matches：	1

GT20J321 数据手册

GT20J321

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT

GT20J321

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

Unit: mm

•

The 4th generation

Enhancement-mode

Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

High speed: t = 0.04 µs (typ.)

Low switching loss : E = 0.40 mJ (typ.)

: E = 0.43 mJ (typ.)

off

•

Low saturation voltage: V

= 2.0 V (typ.)

CE (sat)

FRD included between emitter and collector

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

600

±20

CES

GES

JEDEC

―

JEITA

Collector current

1 ms

TOSHIBA

2-10R1C

Emitter-collector forward

Weight: 1.7 g (typ.)

current

1 ms

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance (IGBT)

Thermal resistance (diode)

2.78

4.23

°C/W

th (j-c)

Equivalent Circuit

Collector

Gate

Emitter

2002-04-08

12 3 4 5 6 7

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