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GT20J311

更新时间： 2024-11-05 22:32:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关电动机控制高功率电源
页数	文件大小	规格书
6页	322K
描述
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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GT20J311 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.26	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	120 W
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	500 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GT20J321	TOSHIBA	获取价格	High Power Switching Applications Fast Switching Applications
GT20J321_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
GT20J341	TOSHIBA	获取价格	Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
GT20N135SRA	TOSHIBA	获取价格	1350 V/40 A IGBT, Built-in Diodes, TO-247
GT-2100	NEC	获取价格	Noise Filters
GT-21001	NEC	获取价格	Noise Filters
GT-21001	KEMET	获取价格	KEMET, GT, EMI/RFI Filters, Noise Suppression, 250 VAC
GT-21001V	NEC	获取价格	Noise Filters
GT-2100R	NEC	获取价格	Noise Filters
GT-2100SF-10	NEC	获取价格	Noise Filters