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GT20J301

更新时间： 2024-09-15 22:32:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管功率控制电动机控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
6页	324K
描述
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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GT20J301 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	130 W
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	700 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GT20J301_06	TOSHIBA	获取价格	SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
GT20J311	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
GT20J321	TOSHIBA	获取价格	High Power Switching Applications Fast Switching Applications
GT20J321_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
GT20J341	TOSHIBA	获取价格	Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
GT20N135SRA	TOSHIBA	获取价格	1350 V/40 A IGBT, Built-in Diodes, TO-247
GT-2100	NEC	获取价格	Noise Filters
GT-21001	NEC	获取价格	Noise Filters
GT-21001	KEMET	获取价格	KEMET, GT, EMI/RFI Filters, Noise Suppression, 250 VAC
GT-21001V	NEC	获取价格	Noise Filters