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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 6000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 500 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT20G102(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263VAR |
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| GT20G102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT20J101 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT20J101_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT20J121 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs, GT20J121 |
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| GT20J301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT20J301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT20J311 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT20J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Power Switching Applications Fast Switching Applications |
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| GT20J321_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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