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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 3.6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT20G101 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT20G101(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263VAR |
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| GT20G101SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
|
| GT20G102 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT20G102(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263VAR |
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| GT20G102SM | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT20J101 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT20J101_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT20J121 | TOSHIBA |
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Discrete IGBTs, GT20J121 |
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| GT20J301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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