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GT200HF65T2VH-M

更新时间： 2024-10-16 17:15:43

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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9页	344K
描述
IGBT Half Bridge-650V

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GT200HF65T2VH-M 数据手册

GT200HF65T2VH-M

Preliminary Data

IGBT Module

Features：



Field Stop Trench Gate IGBT



Short Circuit Rated ＞10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



High Power Converters

Industrial Motor Drives

UPS Systems



Maximum Rated Values of IGBT(T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

650

±20

200

335

400

>10

1000

T_C=100℃

T_C=25℃

T_J=175℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C=25℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=175℃

www.njsme.com

Page 1 REV.01

01/17/2019

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