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GT200HF120A5H-M

更新时间： 2024-11-20 17:15:43

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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9页	466K
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IGBT Half Bridge-1200V

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GT200HF120A5H-M 数据手册

GT200HF120A5H-M

IGBT Module

Features：



Field Stop Trench Gate IGBT



Short Circuit Rated >10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested(2×Ic)

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Industrial Inverters

Servo Applications

EV/HEV



Maximum Rated Values of IGBT(T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

T_C=100℃

T_C=25℃

T_J=175℃

200

400

>10

1440

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C=25℃

T_Jmax=175℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

www.njsme.com

Page 1 REV.B

12/30/2021

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GT2016HWDNNRNP-V00-NOCX	JHE	获取价格	SPECIFICATIONS FOR LCD MODULE
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