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GT150TL120T2SH

更新时间： 2024-10-27 17:15:51

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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IGBT Three Level-1200V

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GT150TL120T2SH 数据手册

GT150TL120T2SH

IGBT Module

Features：

Short Circuit Rated 10μs

Low Saturation Voltage: V_{CE (sat)}= 1.90V @ I_C= 150A , T_C=25℃

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Application：

3-Level-Applications

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values (T_C=25℃Unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

T_C= 80℃,

T_C= 25℃

T_J= 175℃

150

275

300

>10

1035

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C= 25℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=175℃

www.njsme.com

Page 1 Rev. 04

12/22/2015

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