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GT150FF120T6H-M

更新时间： 2024-12-01 17:15:27

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	333K
描述
IGBT Full Bridge-1200V

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GT150FF120T6H-M 数据手册

GT150FF120T6H-M

IGBT Module

Features：



Field Stop Trench Gate IGBT

Short Circuit Rated>10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested(2×Ic)

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Industrial Inverters

Servo Applications

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

T_J=25℃

1200

±20

Gate-Emitter Voltage

T_C=100℃

T_C=25℃

tp=1ms

150

300

>10

1085

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Peak Collector Current Repetitive

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C=25℃

T_Jmax=175℃

Maximum Power Dissipation (IGBT)

www.njsme.com

Page 1 REV.A

09/12/2019

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