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GT150FF120A8H

更新时间： 2024-11-21 17:15:23

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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11页	610K
描述
IGBT Full Bridge-1200V

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GT150FF120A8H 数据手册

GT150FF120A8H

IGBT Module

Features：

Circuit Diagram



Field Stop Trench Gate IGBT

Short Circuit Rated>10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested(2×Ic)

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Industrial Inverters

Servo Applications



Maximum Rated Values of IGBT (T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

150

220

300

>10

710

T_C=100℃

T_C=25℃

T_J=175℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

μs

T_C=25℃

T_Jmax=150℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

www.njsme.com

Page 1 Rev. A

11/29/2022

SVS

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