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GSRU15035A

更新时间: 2024-01-26 13:23:13
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 183K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin

GSRU15035A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A基于收集器的最大容量:500 pF
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:175 W最大功率耗散 (Abs):175 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
最大关闭时间(toff):2400 ns最大开启时间(吨):470 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

GSRU15035A 数据手册

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